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环境气候试验箱
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力学材料试验机
行业专用检测设备
环境可靠性试验方案
半导体失效分析测试方案
高温高湿老化试验
稳态湿热试验
抗湿性试验
温湿度BHAST偏压试验
材料失重试验
高加速寿命老化试验
UHAST无偏压加速老化试验
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已有1862人咨询过该设备
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威邦BHAST偏压高加速应力老化箱：简称BHAST，参考JESD22-A110标准，通过电势差加剧了电化学腐蚀效应，更易暴露键合线腐蚀、离子迁移等典型故障。模拟芯片电路产品在高温、高湿、高压等恶劣环境下的工作状态，验证钝化层、介质层的质量。
威邦BHAST偏压高加速应力老化箱：英文名（Biased Highly Accelerated Stress Test Chamber）, 又称Bias-HAST、高加速偏压试验箱等。BHAST用于评价芯片、半导体、IC器件(固态设备)在高温高湿高压环境下的工作状态，验证其内部电路（特别是金属互连线）、钝化层、介质层因电化学反应而发生腐蚀或迁移的风险。试验标准参考JESD22-A110，相较UHAST，BHAST施加偏置电压加剧了电化学腐蚀效应。
主要用途
高温高湿老化试验
稳态湿热试验
抗湿性试验
温湿度BHAST偏压试验
材料失重试验
高加速寿命老化试验
UHAST无偏压加速老化试验
应用场景
电子元器件
汽车电子
光电部件
高分子材料
航空器件
光伏组件
测试内容
半导体IC器件、线路板(PCB)、连接器等产品高温高湿高压加速老化测试；
控制单元（ECU）、传感器、车规芯片和其他电子元器件高温高湿老化试验；
LED、LCD、面板显示和塑封器件等产品抗湿性试验和密封性试验；
磁性材料、塑胶、导线架等产品稳态湿热试验和抗湿性试验；
医疗设备、航空航天电子设备、化工材料在潮湿环境下的抗湿气渗透能力；
| 产品名称
Product |
型号
Model |
工作室容积
Volume |
温湿度范围
Temp/Hum Range |
压力范围
Pressure Range |
内箱尺寸（直径φW*深D）
Inner Size |
外箱尺寸（宽W*深D*高H）
Chamber Size |
| WBE-BHAST系列
偏置高加速应力老化箱 （带偏压） |
WBE-BHAST-45 | 90（L） | 温度：
A： +100~+143℃； B： +100~+156℃； 湿度： （60%~100%R.h不饱和HUM；100%R.h饱和STD） |
A：0.2～3kg/cm² (0.018～0.294 MPa) B：0.2～4kg/cm² (0.018～0.394 MPa) |
418*660（mm） | 770*950*1670（mm） |
| WBE-BHAST-55 | 150（L） | 550*650（mm） | 980*1150*1780（mm） | |||
| WBE-BHAST-65 | 248（L） | 650*750（mm） | 1100*1180*1900（mm） | |||
| WBE-BHAST-75 | 375（L） | 750*850（mm） | 1450*1350*1850（mm） | |||
| WBE-PCT系列
饱和蒸汽高压加速老化箱 |
WBE-PCT-40 | 69（L） | 温度：
A： +100~+143℃； 湿度： （100%R.h饱和STD） |
A：0.2～3kg/cm² (0.018～0.294 MPa) |
400*550（mm） | 700*950*1710（mm） |
| WBE-PCT-55 | 150（L） | 550*650（mm） | 900*1200*1760（mm） | |||
| WBE-PCT-65 | 248（L） | 650*750（mm） | 1000*1300*1860（mm） | |||
| 可非标定制其它规格参数 | ||||||
| 产品名称
Product |
型号
Model |
工作室容积
Volume |
温湿度范围
Temp/Hum Range |
压力范围
Pressure Range |
内箱尺寸（直径φW*深D）
Inner Size |
外箱尺寸（宽W*深D*高H）
Chamber Size |
| WBE-BHAST系列
偏置高加速应力老化箱 （带偏压） |
WBE-BHAST-45 | 90（L） | 温度：
A： +100~+143℃； B： +100~+156℃； 湿度： （60%~100%R.h不饱和HUM；100%R.h饱和STD） |
A：0.2～3kg/cm² (0.018～0.294 MPa) B：0.2～4kg/cm² (0.018～0.394 MPa) |
418*660（mm） | 770*950*1670（mm） |
| WBE-BHAST-55 | 150（L） | 550*650（mm） | 980*1150*1780（mm） | |||
| WBE-BHAST-65 | 248（L） | 650*750（mm） | 1100*1180*1900（mm） | |||
| WBE-BHAST-75 | 375（L） | 750*850（mm） | 1450*1350*1850（mm） | |||
| WBE-PCT系列
饱和蒸汽高压加速老化箱 |
WBE-PCT-40 | 69（L） | 温度：
A： +100~+143℃； 湿度： （100%R.h饱和STD） |
A：0.2～3kg/cm² (0.018～0.294 MPa) |
400*550（mm） | 700*950*1710（mm） |
| WBE-PCT-55 | 150（L） | 550*650（mm） | 900*1200*1760（mm） | |||
| WBE-PCT-65 | 248（L） | 650*750（mm） | 1000*1300*1860（mm） | |||
| 可非标定制其它规格参数 | ||||||
| 性能参数 | 温度范围 | 105.0~133.3℃（at 100%R.h）
110.0~140.0℃（at 85%R.h） 118.0~156.0℃（at 65%R.h） |
| 温度波动度 | ≤±0.5℃ | |
| 温度均匀度 | ≤2℃ | |
| 温度偏差 | ≤±2℃ | |
| 升温时间 | 常温～+ 143℃约75 min ；常温～+ 156℃约100 min | |
| 湿度范围 | 65%～100%R.h | |
| 湿度波动度 | ≤±2%R.h | |
| 湿度均匀度 | ≤±3%R.h | |
| 湿度偏差 | ≤±3%R.h | |
| 压力范围 | A：0.2～3kg/cm² (0.018～0.294 MPa) ；B：0.2～4kg/cm² (0.018～0.394 MPa)
（特殊客户需求） ;（其他压力可定制） |
|
| 压力偏差 | ≤±2Kpa | |
| 升压时间 | 常压～+ 3kg/cm²约50 min. 外部气源加压：约5 min
常压～+ 4kg/cm²约60 min. 外部气源加压：约5 min |
|
| HAST测试模式 | HUM（不饱和）测试模式/STD（饱和）测试模式 | |
| 偏压端子 | 4~128个可选（或定制） | |
| 控制器 | 7寸彩色触摸屏控制 | |
| 排气模式 | 三种模式:相对保湿的缓慢冷却/保持水汽的慢速冷却/快速排气 | |
| 箱体材质 | 内箱 | SUS #316不锈钢（电解抛光） |
| 外箱 | 冷轧钢板+双面静电喷塑工艺处理，白色 | |
| 电源 | AC220V±10% 50HZ 1∮2W+E | |
| 型号说明 |  |
|
| 性能参数 | 温度范围 | 105.0~133.3℃（at 100%R.h）
110.0~140.0℃（at 85%R.h） 118.0~156.0℃（at 65%R.h） |
| 温度波动度 | ≤±0.5℃ | |
| 温度均匀度 | ≤2℃ | |
| 温度偏差 | ≤±2℃ | |
| 升温时间 | 常温～+ 143℃约75 min ；常温～+ 156℃约100 min | |
| 湿度范围 | 65%～100%R.h | |
| 湿度波动度 | ≤±2%R.h | |
| 湿度均匀度 | ≤±3%R.h | |
| 湿度偏差 | ≤±3%R.h | |
| 压力范围 | A：0.2～3kg/cm² (0.018～0.294 MPa) ；B：0.2～4kg/cm² (0.018～0.394 MPa)
（特殊客户需求） ;（其他压力可定制） |
|
| 压力偏差 | ≤±2Kpa | |
| 升压时间 | 常压～+ 3kg/cm²约50 min. 外部气源加压：约5 min
常压～+ 4kg/cm²约60 min. 外部气源加压：约5 min |
|
| HAST测试模式 | HUM（不饱和）测试模式/STD（饱和）测试模式 | |
| 偏压端子 | 4~128个可选（或定制） | |
| 控制器 | 7寸彩色触摸屏控制 | |
| 排气模式 | 三种模式:相对保湿的缓慢冷却/保持水汽的慢速冷却/快速排气 | |
| 箱体材质 | 内箱 | SUS #316不锈钢（电解抛光） |
| 外箱 | 冷轧钢板+双面静电喷塑工艺处理，白色 | |
| 电源 | AC220V±10% 50HZ 1∮2W+E | |
| 型号说明 | |
|
| 性能参数 | 温度范围 | 105.0~133.3℃（at 100%R.h）
110.0~140.0℃（at 85%R.h） 118.0~156.0℃（at 65%R.h） |
| 温度波动度 | ≤±0.5℃ | |
| 温度均匀度 | ≤2℃ | |
| 温度偏差 | ≤±2℃ | |
| 升温时间 | 常温～+ 143℃约75 min ；常温～+ 156℃约100 min | |
| 湿度范围 | 65%～100%R.h | |
| 湿度波动度 | ≤±2%R.h | |
| 湿度均匀度 | ≤±3%R.h | |
| 湿度偏差 | ≤±3%R.h | |
| 压力范围 | A：0.2～3kg/cm² (0.018～0.294 MPa) ；B：0.2～4kg/cm² (0.018～0.394 MPa)
（特殊客户需求） ;（其他压力可定制） |
|
| 压力偏差 | ≤±2Kpa | |
| 升压时间 | 常压～+ 3kg/cm²约50 min. 外部气源加压：约5 min
常压～+ 4kg/cm²约60 min. 外部气源加压：约5 min |
|
| HAST测试模式 | HUM（不饱和）测试模式/STD（饱和）测试模式 | |
| 偏压端子 | 4~128个可选（或定制） | |
| 控制器 | 7寸彩色触摸屏控制 | |
| 排气模式 | 三种模式:相对保湿的缓慢冷却/保持水汽的慢速冷却/快速排气 | |
| 箱体材质 | 内箱 | SUS #316不锈钢（电解抛光） |
| 外箱 | 冷轧钢板+双面静电喷塑工艺处理，白色 | |
| 电源 | AC220V±10% 50HZ 1∮2W+E | |
| 型号说明 | |
|
| 特性 | HAST（无偏压） | BHAST（偏压） |
| 中文全称 | 高加速温湿度应力试验 | 偏压高加速温湿度应力试验 |
| 核心区别 | 不施加偏压（芯片不工作） | 施加偏压（芯片处于工作状态） |
| 测试目的 | 评估封装的防潮性和材料兼容性。如塑封料与芯片，引线框架的结合强度，封装内部是否分层、开裂等 | 评估芯片电路的抗腐蚀可靠性。验证钝化层、介质层的质量，防止湿气和电场共同作用下导致金属线腐蚀、短路或开路。 |
| 模拟场景 | 芯片在仓储、运输等非工作状态的长期高温高湿环境 | 芯片在实际工作环境中（如手机、汽车电子在潮湿环境下运行）的长期可靠性 |
| 失效机理 | 主要以物理失效为主 | 主要以电化学失效为主 |
| 1，封装内部界面分层；2，塑封料开裂；3，芯片破裂 | 1，金属互连线（铝、铜）的电离腐蚀；2，因钝化层缺陷或质量不佳，湿气穿透后在强电场下形成电流，导致金属被腐蚀。 | |
| 测试条件 | 温度110℃~130℃，湿度85%R.h以上，压力高于大气压 | 温度110℃~130℃，湿度85%R.h以上，压力高于大气压，芯片电源和I/O引脚施加恒定电压（偏压） |
| 苛刻程度 | 相对较低 | 更为严苛，温度+湿度+电压三种应力，加速因子更高 |
| 适用标准 | JEDEC JESD22-A110 | JEDEC JESD22-A110（BHAST部分） |
| 特性 | HAST（无偏压） | BHAST（偏压） |
| 中文全称 | 高加速温湿度应力试验 | 偏压高加速温湿度应力试验 |
| 核心区别 | 不施加偏压（芯片不工作） | 施加偏压（芯片处于工作状态） |
| 测试目的 | 评估封装的防潮性和材料兼容性。如塑封料与芯片，引线框架的结合强度，封装内部是否分层、开裂等 | 评估芯片电路的抗腐蚀可靠性。验证钝化层、介质层的质量，防止湿气和电场共同作用下导致金属线腐蚀、短路或开路。 |
| 模拟场景 | 芯片在仓储、运输等非工作状态的长期高温高湿环境 | 芯片在实际工作环境中（如手机、汽车电子在潮湿环境下运行）的长期可靠性 |
| 失效机理 | 主要以物理失效为主 | 主要以电化学失效为主 |
| 1，封装内部界面分层；2，塑封料开裂；3，芯片破裂 | 1，金属互连线（铝、铜）的电离腐蚀；2，因钝化层缺陷或质量不佳，湿气穿透后在强电场下形成电流，导致金属被腐蚀。 | |
| 测试条件 | 温度110℃~130℃，湿度85%R.h以上，压力高于大气压 | 温度110℃~130℃，湿度85%R.h以上，压力高于大气压，芯片电源和I/O引脚施加恒定电压（偏压） |
| 苛刻程度 | 相对较低 | 更为严苛，温度+湿度+电压三种应力，加速因子更高 |
| 适用标准 | JEDEC JESD22-A110 | JEDEC JESD22-A110（BHAST部分） |
| 项目名称 | HAST（非饱和型） | PCT（饱和型） |
| 设备要求 | 需独立控温、控湿、控压+压缩空气系统，设备复杂、精度高、成本高 | 结构简单，仅控温/压，湿度固定饱和，成本低、易操作 |
| 湿度 | 可调85%-100%R.h(常用85%/95%R.h) | 固定100%R.h(饱和) |
| 温度 | 105°C~145°C(最高162.5°C) | 110°C/121°C/130°C(常见) |
| 压力 | 0.04~0.39MPa(独立可调) | 0.11~0.27MPa(随温变) |
| 冷凝水 | 无(仅分子态水汽) | 有(表面水膜) |
| 电偏压 | 可加偏压(加速电化学失效) | 一般不加 |
| 加速因子 | 高(数十~数百倍于常规) | 中 |
| 测试时长 | 48~500h(更短更高效) | 24~168h |
| 应用场景 | 1、IC、多层板、汽车电子、医疗器件的高加速湿热+电应力测试。
2、需快速筛选材料/工艺缺陷、缩短研发周期的场景。 |
1、半导体封装、LED、连接器、PCB、光伏组件的密封与抗湿验证。
2、需评估液态水侵入风险的产品。 |
| 测试目的 | 1、侧重湿气渗透、材料老化、电化学腐蚀、界面结合力。
2、典型失效：铝线腐蚀、芯片 / PCB 分层、银膏吸水、锡短路、钝化层失效。 3、目的：快速评估复杂电子 / 半导体在湿热 + 电场下的长期可靠性，加速研发。 |
1、侧重密封性能、气密性、抗液态水侵入能力。
2、典型失效：爆米花效应（水汽汽化爆裂）、封装分层、焊点氧化、离子迁移短路。 3、目的：验证非气密性封装在极端潮湿下的可靠性，筛选密封缺陷。 |
| 项目名称 | HAST（非饱和型） | PCT（饱和型） |
| 设备要求 | 需独立控温、控湿、控压+压缩空气系统，设备复杂、精度高、成本高 | 结构简单，仅控温/压，湿度固定饱和，成本低、易操作 |
| 湿度 | 可调85%-100%R.h(常用85%/95%R.h) | 固定100%R.h(饱和) |
| 温度 | 105°C~145°C(最高162.5°C) | 110°C/121°C/130°C(常见) |
| 压力 | 0.04~0.39MPa(独立可调) | 0.11~0.27MPa(随温变) |
| 冷凝水 | 无(仅分子态水汽) | 有(表面水膜) |
| 电偏压 | 可加偏压(加速电化学失效) | 一般不加 |
| 加速因子 | 高(数十~数百倍于常规) | 中 |
| 测试时长 | 48~500h(更短更高效) | 24~168h |
| 应用场景 | 1、IC、多层板、汽车电子、医疗器件的高加速湿热+电应力测试。
2、需快速筛选材料/工艺缺陷、缩短研发周期的场景。 |
1、半导体封装、LED、连接器、PCB、光伏组件的密封与抗湿验证。
2、需评估液态水侵入风险的产品。 |
| 测试目的 | 1、侧重湿气渗透、材料老化、电化学腐蚀、界面结合力。
2、典型失效：铝线腐蚀、芯片 / PCB 分层、银膏吸水、锡短路、钝化层失效。 3、目的：快速评估复杂电子 / 半导体在湿热 + 电场下的长期可靠性，加速研发。 |
1、侧重密封性能、气密性、抗液态水侵入能力。
2、典型失效：爆米花效应（水汽汽化爆裂）、封装分层、焊点氧化、离子迁移短路。 3、目的：验证非气密性封装在极端潮湿下的可靠性，筛选密封缺陷。 |
| 标准号 | 执行标准 | 测试条件 | |||
| 温度（℃） | 湿度（%R.h） | 电压（V） | 时间（h） | ||
| IEC60068-2-66
IEC60749 |
环境试验.第2-66部分：试验方法.试验Cx：稳态湿热 | 110±2
120±2 130±2 |
85±5
85±5 85±5 |
任意电压 | 96/192/408
48/96/192 24/48/96 |
| GB/T2423.40 | 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法Cx：不饱和高压蒸汽的恒定湿热 | 110±2
120±2 130±2 |
85±5
85±5 85±5 |
1~1000V | 96/192/408
48/96/192 24/48/96 |
| GB/T4937.40 | 半导体器件机械和气候试验方法 第4部分：湿热、稳态、高加速应力试验（HAST） | 110±2
130±2 |
85±5
85±5 |
1~1000V | 96/264 |
| JIS C0096-2001 | 环境测试 第2部分：倾倒·湿热·稳态（非饱和加压蒸汽） | 110±2
120±2 130±2 |
85±5
85±5 85±5 |
任意电压 | 96/192/408
48/96/192 24/48/96 |
| JEITA（EIAJ）ED-4701/100A/103 | 半导体器件不饱和蒸汽压力测试 | 110±2
120±2 130±2 |
85±5
85±5 85±5 |
持续施加电压 | 24/48/96/168/500 |
| JPCA-ET08 | 印刷电路板不饱和蒸汽压力测试 | 110±2
120±2 130±2 |
85±5
85±5 85±5 |
持续施加电压 | 96/192/408
48/96/192 24/48/96 |
| AEC Q100-Rev-E
AEC Q101 |
汽车级半导体分立器件应力测试认证 | 110±2
130±2 |
85±5
85±5 |
持续施加电压/无偏压 | 264/96 |
| JESD22-A101C | 稳态温度，湿度/偏压，寿命试验（温湿度偏压寿命） | 85±2 | 85±5 | 持续/间断施加电压 | 24/168/1000 |
| JESD22-A102E | 高压蒸煮试验（加速抗湿性渗透） | 121±2 | 100±5 | 无偏压 | 24/48/96/168/240/336 |
| JESD22-A110E | HAST高加速温湿度应力试验 | 110±2
130±2 |
85±5
85±5 |
持续/间断施加电压 | 264/96 |
| JESD22-A118B | 温湿度无偏压高加速应力实验UHAST（无偏置电压未饱和高压蒸汽） | 110±2
130±2 |
85±5
85±5 |
无偏压 | 264/96 |
| 标准号 | 执行标准 | 测试条件 | |||
| 温度（℃） | 湿度（%R.h） | 电压（V） | 时间（h） | ||
| IEC60068-2-66
IEC60749 |
环境试验.第2-66部分：试验方法.试验Cx：稳态湿热 | 110±2
120±2 130±2 |
85±5
85±5 85±5 |
任意电压 | 96/192/408
48/96/192 24/48/96 |
| GB/T2423.40 | 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法Cx：不饱和高压蒸汽的恒定湿热 | 110±2
120±2 130±2 |
85±5
85±5 85±5 |
1~1000V | 96/192/408
48/96/192 24/48/96 |
| GB/T4937.40 | 半导体器件机械和气候试验方法 第4部分：湿热、稳态、高加速应力试验（HAST） | 110±2
130±2 |
85±5
85±5 |
1~1000V | 96/264 |
| JIS C0096-2001 | 环境测试 第2部分：倾倒·湿热·稳态（非饱和加压蒸汽） | 110±2
120±2 130±2 |
85±5
85±5 85±5 |
任意电压 | 96/192/408
48/96/192 24/48/96 |
| JEITA（EIAJ）ED-4701/100A/103 | 半导体器件不饱和蒸汽压力测试 | 110±2
120±2 130±2 |
85±5
85±5 85±5 |
持续施加电压 | 24/48/96/168/500 |
| JPCA-ET08 | 印刷电路板不饱和蒸汽压力测试 | 110±2
120±2 130±2 |
85±5
85±5 85±5 |
持续施加电压 | 96/192/408
48/96/192 24/48/96 |
| AEC Q100-Rev-E
AEC Q101 |
汽车级半导体分立器件应力测试认证 | 110±2
130±2 |
85±5
85±5 |
持续施加电压/无偏压 | 264/96 |
| JESD22-A101C | 稳态温度，湿度/偏压，寿命试验（温湿度偏压寿命） | 85±2 | 85±5 | 持续/间断施加电压 | 24/168/1000 |
| JESD22-A102E | 高压蒸煮试验（加速抗湿性渗透） | 121±2 | 100±5 | 无偏压 | 24/48/96/168/240/336 |
| JESD22-A110E | HAST高加速温湿度应力试验 | 110±2
130±2 |
85±5
85±5 |
持续/间断施加电压 | 264/96 |
| JESD22-A118B | 温湿度无偏压高加速应力实验UHAST（无偏置电压未饱和高压蒸汽） | 110±2
130±2 |
85±5
85±5 |
无偏压 | 264/96 |
产品分类
